3月3日，埃安發(fā)布全新一代夸克電機，埃安發(fā)布全新一代高性能集成電驅技術群——夸克電驅，電機功率密度高達12kw/kg，相比行業(yè)6kw/kg提升100%，實現(xiàn)巴掌大的電機，帶來超越V8發(fā)動機的超大馬力。

埃安研發(fā)團隊圍繞“高功率密度，低發(fā)熱損耗”兩個核心點，持續(xù)進行技術迭代開發(fā)，從而積累納米晶-非晶超效率電機、X-PIN扁線繞組、900V高效碳化硅、E-drive軟件、無動力中斷電子換擋等一系列創(chuàng)新技術。

“納米晶-非晶”超效率電機

“納米晶-非晶”是從基礎原材料和電磁原理創(chuàng)新開發(fā)一種合金材料及批量制備工藝。相較于傳統(tǒng)的鐵基硅鋼材料冶煉工藝，納米晶-非晶材料冷卻速度高達100萬℃/s，較鐵基硅鋼材料快1000倍；具有原子無序排列、無晶粒、無晶界的微觀特性。其鐵損系數(shù)遠低于鐵基硅鋼等電工鋼，埃安創(chuàng)新應用該材料制作電機鐵芯，降低電機50%鐵芯損耗，從而有效降低電機能量損耗，電機工況效率提升至97.5%，電機最高效率達到98.5%。

X-PIN扁線繞組

埃安融合自主專利的X-PIN扁線定子技術和碳纖維高速轉子技術，在縮小25%體積的情況下，電驅功率提升30%以上?；陔姍C技術的進步，未來產(chǎn)品將呈現(xiàn)小型化、輕量化、出行形態(tài)多樣化。X-PIN碳纖維高速電機技術具有3項獨有平臺繞線方案的國家專利，可實現(xiàn)70kW~320kW功率范圍、220~450Nm扭矩范圍多平臺兼容。

全球最高900V碳化硅功率模塊

埃安深度介入SiC產(chǎn)業(yè)鏈建設，自研封裝設計。從芯片布局、均流一致性、縮小芯片開關延時、疊層功率回路設計四個方向進行突破，同時結合全銀精準低溫燒結工藝的革新，使得SiC模塊回路雜感降低50%以上、熱阻降低約25%、芯片通流能力提升10%以上、功率循環(huán)壽命提升約100%。

結合安全可靠的SiC芯片驅動與保護設計，充分發(fā)揮碳化硅的高耐壓、高功率密度、高效率特性，助力夸克電驅實現(xiàn)最高滿功率工作電壓900V，峰值功率高達320kw以上，最高效率超99.8%。

夸克電驅的一系列技術革新，將搭載埃安的Hyper SSR和Hyper GT上，使埃安Hyper SSR實現(xiàn)最快多電機1.9秒百公里加速，Hyper GT實現(xiàn)最快單電機4.9秒百公里加速能力。

在發(fā)布會最后，夸克電驅的更多應用場景也得到展望。未來，夸克電驅將不僅僅局限于汽車，還可能會被應用在智能機器人、機械外骨骼、醫(yī)療、航空航天等多個高精領域，讓高性能機械便攜化。

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