快科技4月9日消息，小米汽車今日晚間發(fā)布了“小米SU7答網(wǎng)友問（第十二集）”。
而日前，智己汽車在智己L6發(fā)布會上，誤將小米SU7的前后雙碳化硅電機，稱作前IGBT+后SiC電機，引起網(wǎng)友熱議。
在此，小米汽車也向網(wǎng)友解釋了全系全域SiC碳化硅高壓平臺是什么意思，有什么優(yōu)勢？
小米汽車介紹，IGBT/SiC是指代電驅控制器中的功率模塊，是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關器件。
有以Si為材料的IGBT類型芯片，有以SiC為材料的MOSFET類型芯片（對，IGBT是半導體類型，SiC是指芯片材料）。
功率模塊負責電機驅動時將直流電轉為交流電，能量回收時將交流電轉換為直流電，所以它的效率對電動車至關重要。
SiC MOSFET相比Si IGBT開關損耗小，效率更高，因為SiC的制造工藝難度高、生產(chǎn)周期長，得片率、良品率低，致使SiC的價格是Si的2～5倍。
全系全域SiC碳化硅高壓平臺，指的是小米SU7高低配不僅在驅動電機上都使用了SiC碳化硅功率模塊。
車載充電機（OBC）及熱管理系統(tǒng)的空調壓縮機這兩個對能效要求極高的關鍵部件，同樣都包含了碳化硅材料，以便實現(xiàn)更好的能效表現(xiàn)，全域碳化硅是小米SU7實現(xiàn)極致的整車低能耗的技術手段之一。
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責任編輯：若風
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作者：快科技
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