12月18日，據(jù)路透社獨家報道，中國科學家在深圳一處高度戒備的實驗室內成功打造出一臺國產極紫外光刻機（EUV）原型機，于2025年年初完成，目前正處于測試階段。該設備幾乎占據(jù)了整個工廠車間面積，是中國半導體自主研發(fā)路線上的重要里程碑。

EUV光刻機是制造先進芯片的核心裝備，能夠利用極紫外光刻蝕硅片上極細電路，是驅動人工智能、5G智能終端和未來軍事技術的關鍵基礎設施。目前全球成熟EUV技術被荷蘭ASML壟斷，其機器售價高達數(shù)億美元。

路透援引兩名知情人士消息稱，這一國產原型機由一支包括前ASML工程師在內的團隊研發(fā)，他們通過逆向工程方式參考并仿制ASML的EUV技術。該原型機已成功產生極紫外光，但尚未能夠制造出可用的芯片產品，這一關鍵能力仍在攻關當中。

報道稱，中國已將芯片自主列為國家戰(zhàn)略重點，目標是在2028年利用這套原型機實現(xiàn)芯片產出，但項目內外人士認為更現(xiàn)實的時間點可能落在2030年。盡管技術距離西方先進設備仍有差距，尤其是在高精密光學系統(tǒng)上存在明顯不足，但這一原型機的完成表明中國在突破技術封鎖方面取得了實質進展。

此外，中國的這一研發(fā)行動是在美國及其盟友長期對中國實施出口管制背景下進行的。美國政府多年來試圖限制先進光刻設備及相關技術流入中國，以遏制中國在AI芯片及高端制造領域的發(fā)展。路透指出，這一原型機的出現(xiàn)可能意味著中國在擺脫外部技術依賴方面比外界普遍預期的要更快推進。源文地址：網頁鏈接