1月28日，韓國AI芯片企業(yè)FuriosaAI宣布，其第二代AI加速器RNGD正式量產(chǎn)。RNGD芯片基于臺積電5nm工藝，配備256MB片上SRAM緩存并集成兩堆棧共48GB的HBM3內(nèi)存，擁有512TFLOPS的INT8算力，TDP功耗180W。該芯片主打能效，面向供電能力有限的現(xiàn)有風冷數(shù)據(jù)中心基礎設施，支持GPT-OSS120B（雙卡）、Qwen2.5等模型。

FuriosaAI在RNGD上提供兩種形態(tài)的產(chǎn)品：獨立的PCIeAIC卡、八卡NXTRNGD“交鑰匙”4U服務器解決方案。隨著合作伙伴臺積電與華碩交付首批4000臺設備，RNGD的量產(chǎn)標志著FuriosaAI在AI加速器領域的進一步發(fā)展。