3月，多家SiC上游材料端企業(yè)項目進展不斷。

國內(nèi)外SiC材料企業(yè)的擴產(chǎn)也正“快馬加鞭”。

據(jù)統(tǒng)計，今年3月，包括Wolfspeed、天岳先進、天科合達、東尼電子、南砂晶圓、同光股份、天域半導體、百識電子等SiC襯底/外延企業(yè)，均有產(chǎn)能上的擴容進展。

根據(jù)下游市場和客戶需求情況，材料企業(yè)在有序推進產(chǎn)能產(chǎn)量的提升。2024年3月，國內(nèi)外SiC材料企業(yè)的產(chǎn)能動態(tài)如下：

Wolfspeed

Wolfspeed位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。該工廠將生產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底。到 2024 年底，占地 445 英畝的一期工程預(yù)計將完工，預(yù)計2025年上半年開始生產(chǎn)，竣工達產(chǎn)后，將使Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量擴大10倍。

2023年2月初，Wolfspeed宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的8英寸SiC器件制造工廠，這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠（已于2022年4月開業(yè)）、John Palmour SiC制造中心（即美國北卡羅來納州SiC材料工廠，剛封頂）一起，共同構(gòu)成Wolfspeed公司65億美元產(chǎn)能擴張計劃的重要組成部分。

天岳先進

目前，天岳先進臨港工廠擴產(chǎn)進展順利，產(chǎn)品交付有序推進。臨港工廠第二階段的產(chǎn)能規(guī)劃也已經(jīng)步入議程。

天岳先進上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。按照目前的進展來看，天岳先進預(yù)計將提前實現(xiàn)達產(chǎn)。在此基礎(chǔ)上，天岳先進在2023年下半年決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年。上海臨港工廠達產(chǎn)后，將成為天岳先進導電型SiC襯底主要生產(chǎn)基地。

重投天科

重投天科第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，該項目總投資32.7億元，重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”。

該項目由北京天科合達半導體股份有限公司、深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團等各方共同投資建立，建設(shè)運營主體單位為天科合達控股子公司深圳市重投天科半導體有限公司。

天科合達-江蘇

江蘇天科合達半導體有限公司碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目主體工程已經(jīng)完成，該項目總投資8.3億，建筑面積4.9萬平方米，目前正在進行核體內(nèi)外部裝配施工。8月份建成后可實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片。

天科合達-北京

北京天科合達半導體碳化硅生產(chǎn)基地二期項目也開工，該項目總投資為20億元，建設(shè)年限為2024年-2025年，總用地面積為52790平方米，規(guī)劃總建筑規(guī)模為105100平方米，建成后計劃購置長晶及附屬晶體加工、晶片加工、清洗檢測等工藝設(shè)備，新建6&8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線。

此外，天科合達也將產(chǎn)業(yè)鏈延伸，將啟動碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地研發(fā)中心外延車間改造工程，預(yù)計投資2550萬元改造區(qū)域的建筑裝修、潔凈空調(diào)系統(tǒng)、消防系統(tǒng)、工藝動力系統(tǒng)以及室外改造部分等。

東尼電子

此前，東尼電子在湖州市募資4.69億元建設(shè)的“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導體材料”已實施完畢。在此基礎(chǔ)上，東尼電子湖州碳化硅項目也迎來了擴建。該項目位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)，由旗下全資子公司東尼半導體負責建設(shè)。

東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)的廠房進行擴建，購置包括長晶爐、研磨機、超聲波清洗機等在內(nèi)的421臺/套晶體生產(chǎn)加工設(shè)備及檢測儀器，以形成年產(chǎn)20萬片碳化硅襯底材料的生產(chǎn)能力。

南砂晶圓

作為南砂晶圓全資子公司，中晶芯源8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目也迎來新進展。該項目總投資15億元，其中環(huán)保投資 200 萬元；項目占地面積 24152.71 平方米，主要進行碳化硅單晶生長和襯底加工生產(chǎn)，預(yù)計2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。

據(jù)悉，南砂晶圓計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地。

同光股份

同光股份的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收，標志著產(chǎn)線已全面投入生產(chǎn)。其中，襯底項目是公司首條SiC襯底產(chǎn)線的第三階段建設(shè)項目。

目前來看，SiC襯底產(chǎn)線已從最初的4英寸襯底規(guī)劃轉(zhuǎn)型為主要生產(chǎn)6英寸襯底。為了進一步擴大產(chǎn)能，同光股份在2023年對該產(chǎn)線進行了改造，并計劃新建一條產(chǎn)線，預(yù)計改造后和新建產(chǎn)線的投產(chǎn)將使產(chǎn)能大幅增長。理論上，完成所有建設(shè)項目后，該工廠的SiC襯底產(chǎn)能可提高到30萬片左右。

百豪新材

浙江麗水云和縣人民政府與上海百豪新材料公司、北京世宇企業(yè)管理有限公司簽訂大尺寸SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目意向合作協(xié)議。值得一提的是，上海百豪新材料公司、北京世宇企業(yè)管理有限公司均為掌握有自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導體企業(yè)。

天域半導體

天域半導體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項目（松山湖）迎來重大項目動工，該項目總投資80億元，建設(shè)周期為2023年-2026年，建設(shè)內(nèi)容包括廠房、研發(fā)樓、宿舍以及配套設(shè)施等，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，未來預(yù)計年產(chǎn)值約100億元。

據(jù)天域半導體董事長李錫光透露，2023年，天域成功摘牌占地100畝的生態(tài)園地塊，并啟動了總產(chǎn)能150萬片/每年6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的企業(yè)總部及生產(chǎn)制造中心建設(shè)項目，第一期預(yù)計在2024年4月開始投產(chǎn)。

百識電子

百識電子也透露近期在長三角落地二期產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)劃28萬片/年，打造全國最領(lǐng)先的車規(guī)級三代半外延片制造工廠。據(jù)悉，百識電子首條產(chǎn)線位于南京市浦口區(qū)，于2021年投產(chǎn)，當前年產(chǎn)能達5萬片，客戶多為全球巨頭及國內(nèi)龍頭。同時，百識電子也宣布完成了A+輪融資。

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