蓋世汽車訊 8月30日，半導體解決方案供應商瑞薩電子公司（Renesas Electronics Corporation）宣布開發(fā)新一代Si-IGBT（硅絕緣柵雙極晶體管）。該產(chǎn)品體積小且功率損耗低，可用于下一代電動汽車逆變器。
圖片來源：瑞薩
根據(jù)該公司的計劃，2023年上半年，該AE5代IGBT將在瑞薩電子日本Naka工廠的200和300毫米晶圓生產(chǎn)線上量產(chǎn)。2024年上半年，瑞薩電子將開始在其位于日本甲府（Kofu）的新功率半導體300毫米晶圓廠提高產(chǎn)量，以滿足市場對功率半導體產(chǎn)品不斷增長的需求。
來源：蓋世汽車
作者：劉麗婷
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